İçerik
Şirket bugün açıkladı Samsung, bir terabayt eUFS 2.1 depolama seri üretmeye başladı. Duyuru, şirketin terabaytlık depolamaya sahip Galaxy S10 modelini tanıtacağı söylentilerini takip ediyor. Yüksek kapasiteli flaş belleği, Galaxy Note 9'un yüksek uç versiyonunda bulunan önceden bildirilmiş 512GB flaş ile aynı fiziksel alanı kullanır.
Depolama, Samsung'un gelişmiş yoğunluğa, düşük güç gereksinimlerine ve genellikle daha yüksek hızlara sahip gelişmiş V-NAND flash bellek teknolojisine dayanıyor. Normal NAND'ın yatay katmanlı düzenlemesine kıyasla çok daha verimli olan tek NAND hücrelerinin dikey istiflenmesini kullanır.
Kullanıcılar ne bekleyebilir?
Samsung, eUFS 2.1 tabanlı depolamanın saniyede 1.000 megabayt kadar yüksek sıralı okuma hızları elde edebileceğini iddia etse de, gerçek dünya kullanımında bu sayıya ulaşmanız pek mümkün değil. Rastgele hızlar daha önemlidir, ve Samsung tarafından yayınlanan ilk rakamlar, bunların da oldukça düzeldiğini ortaya koymaktadır.
Özellikle rastgele yazma hızları, sürekli yüksek kare çekimi gibi uygulamaların etkinleştirilmesine yardımcı olmalıdır. Şimdiye kadar çoğu telefon yalnızca birkaç saniyelik yüksek kare hızlı video çekimi ile sınırlandırıldı. Samsung, yeni V-NAND tabanlı 1 terabayt depolama çözümü üzerindeki daha yüksek okuma ve yazma hızlarının saniyede 960 karede sürekli, uzun süreli video kaydı sağlamak için yeterli olacağını söylüyor.
Flaş depolama için üretime başlaması, Samsung’un Kore’deki Pyeongtaek’te bulunan fabrikasında başladı ve MWC’de yüksek kapasiteli depolama ile piyasaya sürülen telefonları duymaya başlamayı umuyoruz. Önceki spekülasyonlar göz önüne alındığında ve Galaxy S10'un 20 Şubat'ta başlatıldığını doğrulaması durumunda, bu ahizenin bir sürümünde depolamayı görmemiz için iyi bir şans var.
Telefondaki bir terabaytlık depolama hakkında ne düşünüyorsunuz? Yüksek kapasiteyi haklı çıkarmak için yeterince ortam taşıyor musunuz veya bir bulut-ilk geleceği kucakladınız mı?
